技术描述
钛蚀刻液（ET-Ti）是圣普化学面向先进封装种子层场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标关东化学，提供国产化替代方案。核心卖点：1μm 细线高纯钛蚀刻，侧蚀 <0.3μm。
主要适用材质/对象：先进封装种子层。
服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。
产品简介
ET-Ti 是面向半导体与先进封装 RDL 制程的半导体级钛蚀刻液，用于 Ti / TiN 阻挡层、种子层与细线互连钛膜的图案化蚀刻，目标线宽 1 μm 级。 与公司成套种子层产品中的钛蚀刻液相比，ET-Ti 有三点定位差异：原料全部半导体级（金属杂质 < 1 ppm，直接决定器件漏电与污染水平）；蚀刻速率刻意放慢（60 – 120 nm/min）以换取 1 μm 细线的侧蚀控制；增加润湿增强组分改善微细图形边缘润湿，避免线条边缘蚀刻滞后。
核心价值：把「慢而均匀」做成卖点——以可控的低速率换取亚微米细线的侧蚀与线宽一致性。
产品用途
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 适用材质 | SiO₂ / 玻璃 / SiN 基材上的 Ti、TiN 膜层 |
| 适用结构 | 阻挡层、种子层、细线互连钛膜（线宽 1 μm 级） |
| 掩模兼容 | 光刻胶掩模（不蚀刻胶膜） |
| 产品定位 | 半导体级钛蚀刻液（微细图形优先） |
| 环节 | 说明 |
|---|---|
| 钛层图案化 | 半导体 / RDL 制程钛层的选择性蚀刻 |
| 种子层处理 | 种子层中钛层的去除（细线结构） |
钛表面极易形成致密钝化层，蚀刻启动后又易因速率过快导致细线侧蚀、线宽损失。ET-Ti 把反应节奏放慢并锁定溶出离子：500 nm 钛层在 4 – 8 min 内蚀净，工艺时间落在设备可控区间；润湿增强组分保证 1 μm 线边缘与中心同步起蚀。
作用原理
| 作用 | 说明 |
|---|---|
| ① 氧化溶解钛层 | 氧化作用作为蚀刻速率主体，把金属钛转化为可溶态并由溶液带走 |
| ② 微量含氟助剂破钝化 | 以微量含氟助剂破除钛表面钝化层使反应持续进行；体系不含高毒含氟酸本体，属低氟安全路线 |
| ③ 离子锁定 + 润湿增强 | 离子控制组分锁定已溶解的钛离子、防止再沉积；润湿增强组分改善 1 μm 微细图形润湿，抑制边缘蚀刻滞后 |
技术参数
| 项目 | 指标 | 说明 |
|---|---|---|
| 原料等级 | 半导体级（金属杂质 < 1 ppm） | 关系器件漏电与污染 |
| 体系类型 | 氧化 + 低氟（微量含氟助剂）蚀刻体系 | 原液（工作液）直接使用 |
| 工作温度 | 25 – 35 ℃（推荐 30 ℃ 恒温） | — |
| 蚀刻速率 | 60 – 120 nm/min @ 30 ℃ | 慢速以控细线侧蚀 |
| 处理时间 | 4 – 8 min（Ti 500 nm 膜） | 终点电位跳变即停，过蚀刻 ≤10% |
| 侧蚀 | ≤ 0.3 μm（对 0.5 μm 膜） | 湿法各向同性极限附近 |
| 线形貌 | 1 μm 线宽损失 < 30%，边缘无锯齿 | SEM 评定 |
对基材选择性 SiO₂ / 玻璃 100:1；SiN 50:1；光刻胶不蚀
使用说明
25 – 35 ℃（推荐 30 ℃ 恒温）浸泡 / 喷淋蚀刻，钛 500 nm 膜 4 – 8 min （终点电位跳变即停，过蚀刻 ≤10%） → 去离子水溢流冲洗 → 稀酸快洗 → 去离子水冲洗 ×3 → 甩干
- ·必须配终点检测：电位跳变即停是控制侧蚀的关键，依赖固定时间会因膜厚波动造成线宽失控
- ·液温建议恒温 30 ℃，不得超过 45 ℃——温度升高会加速氧化作用组分分解、速率失控
- ·湿法蚀刻本质各向同性，侧蚀量近似等于纵向蚀刻量：1 μm 细线须同时满足「胶墙陡直 + 终点即停 + 过蚀刻 ≤10%」
- ·蚀刻后先以去离子水溢流冲洗，再以稀酸快洗，最后去离子水冲洗 ×3
体系不含高毒含氟酸本体，但含微量含氟助剂，现场仍须按含氟物料规范配备急救用品；首次使用建议先小批量试产。
注意事项与安全
| — | | 类别 | 说明 |
|---|---|---|
| 氧化性体系 | 含强氧化性组分，须避光、低温、密封储存，禁止与有机物、金属粉末混存 | 含氟助剂 |
| 含微量含氟助剂，须佩戴护目镜、防护手套与面罩，避免吸入与皮肤接触；现场建议备含钙类急救凝胶 | 温度上限 | 液温不得超过 45 ℃（氧化作用组分加速分解、速率失控） |
| 个人防护 | 佩戴防护手套、护目镜与面罩，操作区保持通风 | 不慎接触 |
| 立即用大量清水冲洗至少 15 分钟并就医 | 废液处理 | 含氟废液须以钙盐沉淀后按当地环保法规处置，禁止直排 |
包装与储存
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 供应形态 | 原液（工作液）直接使用，无需稀释 |
| 储存条件 | 室温、密封、避光 |
| 容器要求 | 建议使用 PP 类容器避光密封保存 |
| 使用期限 | 开盖后按现场批次使用，避免长时间敞口 |
产品优势
半导体级纯度
金属杂质 < 1 ppm，从源头控制离子污染与器件漏电风险；
侧蚀与线宽可控
低速率 + 润湿增强 + 终点即停，0.5 μm 膜侧蚀 ≤ 0.3 μm，1 μm 线宽损失 < 30%；
选择性突出
对 SiO₂ / 玻璃 100:1、SiN 50:1，光刻胶不蚀；
供应协同 + 对标进口
与公司成套种子层产品的钛蚀刻液同源体系，一致性管理与供货保障更简单；对标关东化学钛蚀刻系列，国产替代路径清晰
本资料所载技术参数基于本公司内部测试与行业公开标准整理，实际使用效果受现场工艺条件影响，具体选型请以实测数据为准。
对标信息基于公开产品资料整理，仅用于说明产品定位，不构成对第三方产品的评价或比较结论。
产品安全与使用要求以随货提供的 MSDS 为准。
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