玻璃蚀刻液
半导体及封装蚀刻/显影

GE-K1

玻璃蚀刻液

TGV 成孔蚀刻,飞秒激光改性 + 热碱蚀刻路线

技术描述

玻璃蚀刻液(GE-K1)是圣普化学面向玻璃基板场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标RENA 碱性蚀刻,提供国产化替代方案。核心卖点:TGV 成孔蚀刻,飞秒激光改性 + 热碱蚀刻路线。

主要适用材质/对象:玻璃基板。

服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。

产品简介

玻璃蚀刻液(GE-K1)是圣普化学面向玻璃基板开发的蚀刻/显影产品。产品核心优势:TGV 成孔蚀刻,飞秒激光改性 + 热碱蚀刻路线。技术上对标RENA 碱性蚀刻,提供国产化替代选择。产品特点:飞秒激光改性 + 热碱(110°C)选择性蚀刻路线——对激光改性区蚀刻速率远高于本体玻璃(选择性 >50:1),本体几乎不蚀,无需侧壁保护,不含剧毒含氟酸(该路线明确不采用),热碱蚀刻安全可控,锥角低(taper <1°,对标 RENA),满足低钠要求。典型工艺:有效碱约 40%),110±5°C 浸泡 10-60min(蚀刻速率 0.1-0.5μm/min,取决于激光改性损伤度,需按客户激光参数实测标定),取出热水冲洗 → 稀有机酸中和 1-2min → DI 水冲洗 ×3 → 衔接 Post-TGV 清洗,禁用铝/玻璃/陶瓷容器。

产品参数速览

对标竞品
RENA 碱性蚀刻
适用场景
玻璃基板
适用材质
玻璃基板

产品特点

飞秒激光改性 + 热碱(110°C)选择性蚀刻路线——对激光改性区蚀刻速率远高于本体玻璃(选择性 >50:1),本体几乎不蚀,无需侧壁保护,不含剧毒含氟酸(该路线明确不采用),热碱蚀刻安全可控,锥角低(taper <1°,对标 RENA),满足低钠要求

工艺参数与使用说明

有效碱约 40%),110±5°C 浸泡 10-60min(蚀刻速率 0.1-0.5μm/min,取决于激光改性损伤度,需按客户激光参数实测标定),取出热水冲洗 → 稀有机酸中和 1-2min → DI 水冲洗 ×3 → 衔接 Post-TGV 清洗,禁用铝/玻璃/陶瓷容器

需要样品或技术资料?

联系我们获取 GE-K1 的详细参数、MSDS 与样品支持

联系销售

同线相关产品