技术描述
钼蚀刻液（ET-Mo）是圣普化学面向先进封装/晶圆场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标关东化学，提供国产化替代方案。核心卖点：Mo 互连新型金属蚀刻，下一代制程卡位。
主要适用材质/对象：先进封装/晶圆。
服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。
产品简介
钼蚀刻液（ET-Mo）是圣普化学面向先进封装/晶圆开发的蚀刻/显影产品。产品核心优势：Mo 互连新型金属蚀刻，下一代制程卡位。技术上对标关东化学，提供国产化替代选择。产品特点：经典 PAN 钼蚀刻工艺路线——氧化剂将钼氧化后经酸溶转化为可溶钼盐，控制侧蚀，另备对铝兼容的温和氧化型体系，用于 Mo/Al/Mo 三层结构（主体系会蚀铝，三层结构须选用兼容型）。典型工艺：主体系：30-40°C 浸泡（搅拌/摇晃）1-2min（0.5μm 钼层），蚀净即停 → DI 水溢流冲洗 ×3 → 50°C 热水快洗除酸残留，温和备选体系：30°C 浸泡 3-10min 加搅拌。
产品参数速览
对标竞品
关东化学
适用场景
先进封装/晶圆
适用材质
先进封装/晶圆
产品特点
经典 PAN 钼蚀刻工艺路线——氧化剂将钼氧化后经酸溶转化为可溶钼盐，控制侧蚀，另备对铝兼容的温和氧化型体系，用于 Mo/Al/Mo 三层结构（主体系会蚀铝，三层结构须选用兼容型）
工艺参数与使用说明
主体系：30-40°C 浸泡（搅拌/摇晃）1-2min（0.5μm 钼层），蚀净即停 → DI 水溢流冲洗 ×3 → 50°C 热水快洗除酸残留，温和备选体系：30°C 浸泡 3-10min 加搅拌
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