技术描述
铜/钛种子层蚀刻液（SE-Cu1）是圣普化学面向玻璃基板种子层场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标依托行业常见铜/钛种子层选择性蚀刻，提供国产化替代方案。核心卖点：TGV/RDL 种子层选择性蚀刻。
主要适用材质/对象：玻璃基板种子层。
服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。
产品简介
铜/钛种子层蚀刻液（SE-Cu1）是圣普化学面向玻璃基板种子层开发的蚀刻/显影产品。产品核心优势：TGV/RDL 种子层选择性蚀刻。技术上对标依托行业常见铜/钛种子层选择性蚀刻，提供国产化替代选择。产品特点：氧化+络合选择性蚀刻体系（氧化剂与无机酸协同，源自金属褪镀/剥离（氧化+络合）技术迁移，用于种子层溅射后去除非布线区 Cu/Ti，以侧蚀控制与玻璃本体零损伤为设计重点，蚀刻终点可控。典型工艺：氧化+络合选择性蚀刻，蚀刻终点可控，控制侧蚀，漂洗。
产品参数速览
对标竞品
依托行业常见铜/钛种子层选择性蚀刻
适用场景
玻璃基板种子层
适用材质
玻璃基板种子层
产品特点
氧化+络合选择性蚀刻体系（氧化剂与无机酸协同，源自金属褪镀/剥离（氧化+络合）技术迁移，用于种子层溅射后去除非布线区 Cu/Ti，以侧蚀控制与玻璃本体零损伤为设计重点，蚀刻终点可控
工艺参数与使用说明
氧化+络合选择性蚀刻，蚀刻终点可控，控制侧蚀，漂洗
需要样品或技术资料？
联系我们获取 SE-Cu1 的详细参数、MSDS 与样品支持