玻璃蚀刻液
Semiconductor & PackagingEtching / Developing

GE-K1

玻璃蚀刻液

TGV 成孔蚀刻,飞秒激光改性 + 热碱蚀刻路线

Technical Description

玻璃蚀刻液(GE-K1)是圣普化学面向玻璃基板场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标RENA 碱性蚀刻,提供国产化替代方案。核心卖点:TGV 成孔蚀刻,飞秒激光改性 + 热碱蚀刻路线。

主要适用材质/对象:玻璃基板。

服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。

Introduction

玻璃蚀刻液 (GE-K1) is developed by SEMPURION for 玻璃基板 as a 蚀刻/显影 product.Key advantage: TGV 成孔蚀刻,飞秒激光改性 + 热碱蚀刻路线. Benchmarked against RENA 碱性蚀刻 as a domestic alternative. Key features: 飞秒激光改性 + 热碱(110°C)选择性蚀刻路线——对激光改性区蚀刻速率远高于本体玻璃(选择性 >50:1),本体几乎不蚀,无需侧壁保护,不含剧毒含氟酸(该路线明确不采用),热碱蚀刻安全可控,锥角低(taper <1°,对标 RENA),满足低钠要求. Typical process: 有效碱约 40%),110±5°C 浸泡 10-60min(蚀刻速率 0.1-0.5μm/min,取决于激光改性损伤度,需按客户激光参数实测标定),取出热水冲洗 → 稀有机酸中和 1-2min → DI 水冲洗 ×3 → 衔接 Post-TGV 清洗,禁用铝/玻璃/陶瓷容器.

Quick Specs

Benchmark
RENA 碱性蚀刻
Application
玻璃基板
Materials
玻璃基板

Features

飞秒激光改性 + 热碱(110°C)选择性蚀刻路线——对激光改性区蚀刻速率远高于本体玻璃(选择性 >50:1),本体几乎不蚀,无需侧壁保护,不含剧毒含氟酸(该路线明确不采用),热碱蚀刻安全可控,锥角低(taper <1°,对标 RENA),满足低钠要求

Process & Usage

有效碱约 40%),110±5°C 浸泡 10-60min(蚀刻速率 0.1-0.5μm/min,取决于激光改性损伤度,需按客户激光参数实测标定),取出热水冲洗 → 稀有机酸中和 1-2min → DI 水冲洗 ×3 → 衔接 Post-TGV 清洗,禁用铝/玻璃/陶瓷容器

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