Technical Description
光刻胶剥离液（PR-N1）是圣普化学面向先进封装 RDL场景开发的去胶/解胶产品——面向返修/拆解工序的胶粘剂去除化学品。技术性能对标TOK/飞凯同类光刻胶剥离液，提供国产化替代方案。核心卖点：RDL/半导体光刻胶剥离，ACF 去胶技术迁移。
主要适用材质/对象：先进封装 RDL。
服务于显示面板/模组制程的清洗、蚀刻与返修工序。
Introduction
光刻胶剥离液 (PR-N1) is developed by SEMPURION for 先进封装 RDL as a 去胶/解胶 product.Key advantage: RDL/半导体光刻胶剥离，ACF 去胶技术迁移. Benchmarked against TOK/飞凯同类光刻胶剥离液 as a domestic alternative. Key features: ACF 去胶成熟技术直接迁移，溶胀+断链机理同源，70°C 下铜失重 <0.05μm/h. Typical process: 70-80°C 浸泡 5-15min（硬化胶加超声 3-5min），剥离后须以高纯溶剂过渡冲洗再 DI 水洗（防止溶解胶冷却再沉积），属生殖毒性管控品类（CLP 1B 危害分级），高温操作须通风并做好职业暴露防护.
Quick Specs
Benchmark
TOK/飞凯同类光刻胶剥离液
Application
先进封装 RDL
Materials
先进封装 RDL
Features
ACF 去胶成熟技术直接迁移，溶胀+断链机理同源，70°C 下铜失重 <0.05μm/h
Process & Usage
70-80°C 浸泡 5-15min（硬化胶加超声 3-5min），剥离后须以高纯溶剂过渡冲洗再 DI 水洗（防止溶解胶冷却再沉积），属生殖毒性管控品类（CLP 1B 危害分级），高温操作须通风并做好职业暴露防护
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