Technical Description
Mo/Al 配线蚀刻液（Cu-Mo1）是圣普化学面向面板铜配线场景开发的蚀刻/剪薄产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标大信 Daxin / 帕卡 Mo/Al 配线蚀刻液，提供国产化替代方案。核心卖点：铜制程 Mo/Al 配线蚀刻，4K2K 面板。
主要适用材质/对象：面板铜配线。
服务于显示面板/模组制程的清洗、蚀刻与返修工序。
Introduction
Mo/Al 配线蚀刻液 (Cu-Mo1) is developed by SEMPURION for 面板铜配线 as a 蚀刻/剪薄 product.Key advantage: 铜制程 Mo/Al 配线蚀刻，4K2K 面板. Benchmarked against 大信 Daxin / 帕卡 Mo/Al 配线蚀刻液 as a domestic alternative. Key features: 混合酸蚀刻方案——TFT-LCD Mo/Al 配线蚀刻的行业绝对主流路线，兼顾蚀刻速率与线宽形貌，保证大面积蚀刻均匀性，面向 4K2K 大尺寸面板铜制程的 Mo 阻挡层及铝配线蚀刻，Al / Mo 蚀刻速率比可按客户试片标定（打样实测项）. Typical process: 38~42°C 浸泡或喷淋 60~120s，40°C 下蚀刻速率：Al 150~300nm/min，Mo 120~250nm/min（目标速率比 0.8~1.2 待实测）→ 纯水溢流漂洗 5min 去除残余盐分（防表面白霜）→ 去光阻，侧蚀量 <0.5μm，周边如有暴露 ITO 须评估蚀刻损失，含 Al / Mo 废液合规处理排放.
Quick Specs
Features
混合酸蚀刻方案——TFT-LCD Mo/Al 配线蚀刻的行业绝对主流路线，兼顾蚀刻速率与线宽形貌，保证大面积蚀刻均匀性，面向 4K2K 大尺寸面板铜制程的 Mo 阻挡层及铝配线蚀刻，Al / Mo 蚀刻速率比可按客户试片标定（打样实测项）
Process & Usage
38~42°C 浸泡或喷淋 60~120s，40°C 下蚀刻速率：Al 150~300nm/min，Mo 120~250nm/min（目标速率比 0.8~1.2 待实测）→ 纯水溢流漂洗 5min 去除残余盐分（防表面白霜）→ 去光阻，侧蚀量 <0.5μm，周边如有暴露 ITO 须评估蚀刻损失，含 Al / Mo 废液合规处理排放
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