ITO-E1

ITO-E1 是面向显示面板与触控制程的 ITO（氧化铟锡）图形化蚀刻液，提供两条路线：主方案为有机缓冲助剂体系——无氯、无金属离子污染，对玻璃 / 光阻 / 黑矩阵选择性出色（ITO 对光阻选择比 > 10 : 1），是厂商、专利与学术资料多方印证的行业主流路线，已大规模替代传统无机强酸蚀刻；备选方案为经典无机酸快蚀体系，蚀刻速率高 2 ~ 3 倍，供节拍优先的产线选用。

核心价值：以环保主流路线实现稳定量产蚀刻，并按客户 ITO 晶型提供速率曲线标定服务——非晶与多晶 ITO 的蚀刻速率差异很大，标定后方可稳定量产。

对标 帕卡 Parker / 芝普 ITO 蚀刻液。

ITO 蚀刻要在「图形精度」与「基板与光阻安全」之间取平衡：蚀刻不均会留下 ITO 残留与边缘过蚀；速率过快则 CD 失控、侧蚀变大；体系含氯还会带来残余离子腐蚀电极边缘。更关键的是 ITO 膜本身的晶型（非晶 / 多晶）对速率影响显著——同一套工作液在不同客户、不同膜种上的表现并不相同，因此 ITO-E1 把「速率可标定」作为交付内容的一部分。

光阻图形化 → ITO 蚀刻 方案 A：40 ~ 45 ℃ 浸泡 / 喷淋 2 ~ 5 min（以试片法监控蚀刻速率） 方案 B：30 ~ 40 ℃ 蚀刻 30 ~ 90 s（快速线用） → 纯水溢流漂洗 3 ~ 5 min（方案 B 须充分漂洗，去除残余离子） → 去光阻 → 检查：CD / 侧蚀 / ITO 残留 / 玻璃发蒙

• ·方案 A 的速率区间位于行业公开数据上沿，建议先以试片标定速率曲线再定产线蚀刻时间，验收按 30 ~ 50 nm/min 设下限
• ·速率不足时可提高工作温度——温度每升 5 ℃，蚀刻速率约 × 1.5
• ·不同 ITO 晶型（非晶 / 多晶）速率差异大，切换膜种或供应商前须重新标定
• ·方案 B 蚀刻后必须充分漂洗，避免残余离子残留腐蚀 ITO 电极边缘
• ·槽液按蚀刻量补液并定期检测有效浓度

首次使用建议先小批量试产。