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Post-CMP 晶圆清洗如何不伤 Cu/W 布线？
要点是「弱碱窗口 + 金属离子捕获」：过强的碱或过强的结合能力都会攻击铜。PCMP-100 在弱碱窗口内（工作液 pH 9.0–9.8）清洗，清洗后验收目标 ≥0.16 μm 颗粒 < 0.1 颗/cm²、Na/Cu/Fe 残留 < 10 ppb。
1Post-CMP 的残留构成
抛光液中的磨料颗粒（SiO₂ / CeO₂ 胶体类，粒径 30–150 nm）、抛光副产物金属离子（Cu²⁺ / W / Ta）以及抛光液的有机添加剂膜会一并留在晶圆表面，带入后续薄膜沉积与光刻工序即转化为缺陷源。颗粒造成局部图形缺陷，金属离子改变介质层电性能。
2为什么不走强碱
核心难点是既要洗得干净、又不能伤 Cu/W 布线：过强的碱或过强的结合能力都会攻击铜。PCMP-100 以弱碱窗口（工作液 pH 9.0–9.8，1:4 稀释）配合离子控制组分（对 Cu²⁺/Fe³⁺ 等广谱捕获并转入液相带走）与分散作用组分（防止磨料颗粒再沉降团聚）解决。
3工艺参数与验收目标
1:4 稀释后用（5X 浓缩液交付）；工作温度 40–55 ℃；清洗时间 5–10 分钟（视污染程度）；兆声 / 喷淋均可用；泡沫高度 <50 mm（罗氏泡沫仪 1% 工作液）喷淋安全；出厂终端过滤 0.2 μm。验收目标：清洗后 ≥0.16 μm 颗粒 < 0.1 颗/cm²，漂洗后 Na / Cu / Fe 表面残留 < 10 ppb。漂洗必须完整执行 2–3 次。
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